6、扫描电声显微镜
　　80年代初问世的扫描电声显微镜SEAM，采用了一种新的成像方式：其强度受频闪调制的电子束在试样表面扫描，用压电传感器接收试样热、弹性微观性质变化的电声信号，经视频放大后成像。能对试样的亚表面实现非破坏性的剖面成像。可应用于半导体、金属和陶瓷材料，电子器件及生物学等领域。中国科学院北京科学仪器研制中心也发展了这种扫描电声显微镜，空间分辨本领为0.2—0.3μm［26］。最近，中国科学院上海硅酸盐研究所采用数字扫描发生器控制电子束扫描等技术，提高了信噪比，使SEAM的图像质量得到了很大的改进［27］。
7、测长／缺陷检测扫描电镜
　　SEM不但在科学研究而且在工农业生产中得到了广泛的应用，特别是电子计算机产业的兴起使其得到了很大的发展。目前半导体超大规模集成电路每条线的制造宽度正由0.25μm向0.18μm迈进。作为半导体集成电路生产线上Si片的常规检测工具，美国Amray公司推出了一种缺陷检测3800型DRT扫描电镜，采用了加热到1800K的ZrO/W阴极肖脱基热场发射电子枪，具有良好的低加速电压性能：1kV时分辨本领达4nm，而且电子束流的稳定度优于1%/h、可长期连续工作，对直径为100，125，150，200mm的Si片，每小时可检测100个缺陷。日立公司为了克服以往在室温下工作的冷场发射枪测长扫描电镜(CD-SEM)因需要进行闪烁处理以去除发射尖上所吸附的气体分子而经常中断工作、影响在生产线上应用的缺点，最近也推出了这种ZrO/W阴极热场发射电子枪的S-8000系列CD-SEM。为了克服热场发射比冷场发射枪电子能量分散大的缺点，设计了阻滞场电磁物镜，并改进了二次电子探测器，在加速电压为800V时分辨本领为5nm，可以每小时20片，每片5个检测点的速度连续检测125—200mm直径的Si［1,28］。
8、晶体学取向成像扫描电子显微术
　　SEM的另一个新发展方向是以背散射电子衍射图样(EBSP)为基础的晶体学取向成像电子显微术(OIM)［29］。在SEM上增加一个可将试样倾动约70度的装置，CCD探测器和数据处理计算机系统，扫描并接收记录块状试样表面的背散射电子衍射花样(背散射菊池花样)，按试样各部分不同的晶体取向分类成像来获得有关晶体结构的信息，可显示晶粒组织、晶界和裂纹等，也可用于测定织构和晶体取向。可望发展成SEM的一个标准附件。1996年美国TSL(TexSem
Laboratories,Inc.)公司推出了TSL
OIM系统，空间分辨本领已优于0.2μm，比原理相似的电子通道图样(ECP)提高了一个量级，在0.4秒钟内即能完成一张衍射图样的自动定标工作。英国牛津集团显微分析仪器Link-OPAL公司的EBSD结晶学分析系统，目前已用于Si片上Al连线的取向分析，以判断其质量的优劣及可*性。
9、计算机控制扫描电镜
　　90年代初，飞利浦公司推出了XL系列扫描电镜。在保持重要功能的同时，减少了操作的复杂性。仪器完全由计算机软件控制操作。许多参量(焦距、像散校正和试样台移动速度等)和调节灵敏度都会根据显微镜的工作状态作自适应变化和耦合，可迅速而准确地改变电镜的主要参数。EDS完全与XL系统实现了一体化。该公司1995年生产了XL40
FEG等场发射扫描电镜。日立，JEOL等也先后推出了计算机控制的扫描电镜［1］。
　　场发射扫描电镜的分辨本领最高已达到0.6nm，接近了透射电镜的水平，并得到了广泛的应用，但尚不能分辨原子。如何进一步提高扫描电镜的图像质量和分辨本领是人们十分关注的问题。Joy DC［30］指出：由于分辨本领受到试样表面二次电子SE扩散区大小的基本限制，采取适当措施如喷镀一超薄金属层或布洛赫波隧穿效应(Bloch Wave Channeling)等来限制SE扩散区的尺寸，二次电子分辨本领可望达到0.2—0.3nm，并进而观察原子像。现代SEM电子束探针的半高宽FWHM已达0.3nm，场发射电子枪也已具有足够高的亮度。因此在电子光学方面目前并不构成对SE分辨本领的基本限制。然而，对SEM的机械设计如试样台的漂移和震动等尚未给予足够的、如对扫描隧道显微镜那样的重视、二次电子探测器的信噪比和反差还不够理想，也影响了分辨本领。此外，SE分辨本领的定义和测定方法，SEM图像处理等也不如透射电子显微镜那么严格和完善。这些问题的解决必将进一步提高SEM的图像质量和分辨本领。
参考文献
［1］　金鹤鸣，姜新力，姚骏恩.中国电子显微分析仪器市场.见：分析仪器市场调查与分析.北京：海洋出版社，1998.第四章.p113—152.(待出版).
［2］　姚骏恩.创造探索微观世界的有力工具(今年诺贝尔奖物理学奖获得者的贡献).中国科技报，1986-12-08(3).
［3］　姚骏恩.电子显微镜的最近进展.电子显微学报，1982，1(1)∶1—9.
［4］　郭可信.晶体电子显微学与诺贝尔奖.电子显微学报，1983，2(2)∶1—5.
［5］　Hashimoto H,Kumao A,Hino K,Yotsumo H,Ono A. Japan
J.Appl.Phys.,1971,10∶1115.
［6］　A)何万中.晶体缺陷高分辨电子显微像图像处理方法研究：［博士学位论文］.北京：中国科学院物理研究所，1997.
B)李方华，何万中.场发射高分辨电子显微像的复原.电子显微学报，1997，16(3)∶177—181.
［7］　Haider M,Zach J.Resolution improvement of electron microscopes by means of correctors to compensate for axial berrations.In:Calderon Benavides H A,Yacaman M J eds.Electron
Microscopy 1998.Proc.14ICEM,Cancun,Mexico,31 Aug.-4
Sept.1998.Bristol:IOP Publishing,1998.Vol.1.53—54.
［8］　Kabius B,Urban K,Haider M,Uhlemann S,Schwan E,Rose H.First applications of a spherical-aberration corrected transmission
electron microscope in materials science.In:Calderon Benavides H
A,Yacaman M J eds.Electron Microscopy 1998.Proc.14
ICEM,Cancun,Mexico,31 Aug.-4 Sept.1998.Bristol:IOP
Publishing,1998.Vol.1.609—610.
［9］　段晓峰，高?FDA3?，彭练矛.高精度测量电子全息中的位相变化.电子显微学报，1997，16(3)∶194—198.
［10］　Wang Y C,O?Keefe, M A,Pan M,Nelson E C,Kisilowski C.Progress
towards a 1A information limit by electron holography.In:Calderon
Benavides H A,Yacaman M J eds.Electron Microscopy 1998.Proc.14
ICEM,Cancun,Mexico,31 Aug.-4 Sept.1998.Bristol:IOP
Publishing,1998.Vol.1.573—574.
［11］　Lichte H.Electron holography-not only for improvement of
resolution.In:Calderon Benavides H A,Yacaman M J eds.Electron
Microscopy 1998.Proc.14 ICEM,Cancun,Mexico,31 Aug.-4
Sept.1998.Bristol:IOP Publishing,1998.Vol.1.527—528.
［12］　李日升，关若男.晶体中电子散射的动力学效应与用于观察表面结构的正面成像法.电子显微学报，1998，17(3)∶295—310.
［13］　Phillipp F.High-voltage atomic resolution
microscopy.In:Calderon Benavides H A,Yacaman M J eds.Electron
Microscopy 1998.Proc.14 ICEM,Cancun,Mexico,31 Aug.-4
Sept.1998.Bristol:IOP Publishing,1998.Vol.1.267—268.
［14］　A)Katsuta T,Hayashi S,Takaoka A.3-MV Ultra-high voltage
electron microscopy.Hitachi Review,1996,45(1)∶41—46.
B)Takaoka A,Ura K,Mori H,Katsuta T,Matsui I,Hayashi S.Development of
a new 3MV ultrahigh voltage electron microscope at Osaka
University.In:Calderon Benavides H A,Yacaman M J eds.Electron
Microscopy 1998.Proc.14 ICEM,Cancun,Mexico,31 Aug.-4
Sept.1998.Bristol:IOP Publishing,1998.Vol.1.271—272.
［15］　Pennycook S J,Chisholm M F,Nellist P D,Towards sub-A resolution
through incoherent imaging.In:Bailey G W et al.eds.Microscopy and
Microanalysis.Vol.3.Suppl 2.Proc.of microscopy and
microanalysis?97,MSA,MAS,HCS,Ohio,Aug.10—14,1997.Springer,1997.1167—1168.
［16］　Krivanek O L,Dellby N,Spence A J,Brown L M.Spherical aberration
correction in dedicated STEM.In:Calderon Benavides H A,Yacaman M J
eds.Electron Microscopy 1998.Proc.14 ICEM,Cancun,Mexico,31 Aug.-4
Sept.1998.Bristol:IOP Publishing,1998.Vol.1.55—56.
［17］　Benner G,Harle R,Niebel H.A new fully automatised 200kV energy
filtering TEM.In:Calderon Benavides H A,Yacaman M J eds.Electron
Microscopy 1998.Proc.14 ICEM,Cancun,Mexico,31 Aug.-4
Sept.1998.Bristol:IOP Publishing,1998.Vol.1.231—232.
［18］　A) Tanaka M,Terauchi M,Tsuda K,Kaneyama T,Tsuno K,Honda T,Isida
M,Harada Y.A new Ω-filter electron microscope and a high-resolution
electron-energy loss spectroscopy microscope.In roc.7th
BCEIA,A.Electron Microscopy,Shanghai,1997,Oct.14—17.Beijing eking
University Press,1997.A5—6.
B)Kaneyama T,Tsuno K,Honda T,Kersker M,Tsuda K,Terauchi M,Tanaka
M.Construction and preliminary test of a new energy filtering
TEM—JEM 2010FEF.In:Calderon Benavides H A,Yacaman M J eds.Electron
Microscopy 1998.Proc.14 ICEM,Cancun,Mexico,31 Aug.-4
Sept.1998.Bristol:IOP Publishing,1998.Vol.1.235—236.
［19］　Taniguchi Y,Arai M,Taya S,Kamino T.Electron spectroscopic
observation of semiconductor devices using the EF-1000 energy
filtering image observation system.Hitachi Instrument News.Electron
Microscopy Edition.32nd Edition.Hitachi 1997.15-23.
［20］　Rose H.State and prospects of corrected high-resolution
energy-filtering electron microscopes.In roc.7th BCEIA,A.Electron
Microscopy,Shanghai,1997,Oct.14—17.Beijing eking University
Press,1997.A15—16.
［21］　沈浩元，浦世节.电镜硅锂X射线能谱仪的制备及修理技术.电子显微学报，1995，14(6)∶463—466.
［22］　Hao S W,Liu K T,Ren B H,Chen X.A new system for X-Ray
microanalysis.In roc.7th BCEIA,A.Electron
Microscopy,Shanghai,1997,Oct.14—17.Beijing eking University
Press,1997.A19—20.
［23］　姚骏恩主编.生物化学仪器指南，第四册——扫描隧道显微镜、电子显微镜及有关设备.北京：科学出版社，1992.
［24］　廖乾初.场发射扫描电镜进展及基物理基础.电子显微学报，1998,17(3)∶311—318.
［25］　A)余健业，谢信能，刘廷璧，邵曼君，黄兰友.高温环境扫描电镜(KYKY-1500)—Ⅰ，成像原理及仪器特点.电子显微学报，1997，16(1)∶57—64.
B)邵曼君，赵万敏，肖骅昭，段　岳，余健业，黄兰友.高温环境扫描电镜(KYKY-1500)—Ⅱ，调试与应用.电子显微学报，1997，16(1)∶65—70.
［26］　姚骏恩.我国超显微镜的研制与发展.电子显微学报，1996，15(2—4)∶353—370.
［27］　杨　阳，惠森兴，张冰阳，姚　烈，殷庆瑞.扫描电声显微镜图像质量的提高.电子显微学报，1998，17(1)∶92—96.
［28］　Ezumi M,Otaka T,Mori H,Todokoro H,Ose Y.Development of critical
dimension measurement SEM for ULSI(S-8000 series).Hitachi Instrument
News.Electron Microscopy Edition.30th Edition.Hitachi 1996,15—21.
［29］　朱　静.取向成像电子显微术.电子显微学报，1997，16(3)∶210—217.
［30］　Joy D C.The resolution of the SEM.In:Bailey G W et
al.eds.Microscopy and Microanalysis.Vol.3.Suppl 2.Proc.of microscopy
and microanalysis?97,MSA,MAS,HCS,Ohio,Aug.10—14，1997.Springer,1997.1173—1174