三星已经提前 3 个月完成了 8 纳米芯片的制造工艺。这是同样的“低功耗+”（LPP）工艺，可以用于替换升级其当前的 10 纳米芯片，而未来打算生产的 7 纳米芯片，采用的则是另一种更先进的极限紫外光刻工艺（EUV）制作。

8 纳米芯片与当前的 10 纳米芯片相比，芯片的能效提高了 10%，而芯片面积却又缩小 10%。与此同时，由于 8 纳米芯片采用了与 10 纳米芯片同样的工艺，三星将能够迅速将这款产品进行量产。

三星表示，使用 8 纳米芯片可以大大提升当前应用程序的效能，将是“移动、加密货币和网络/服务器”等应用的理想选择。

值得注意的是，三星这回再次与 10 纳米芯片客户高通合作，以完善新技术。韩国方面有传言称，高通有意将 7 纳米的生产转移到 TSMC（台积电），因为根据之前的报道，该公司在开发这一技术方面略领先于三星，台积电的 7nm 芯片已经预定今年下半年进行试产，明年第 1 季量产。

不过，三星向外媒证实，高通已经确认使用其最新 8 纳米芯片的工艺，但没有提供任何具体细节。考虑到这一信息，高通似乎很有可能会与三星一起打造其下一代的 Snapdragon 芯片，采用可靠的 LPP 工艺，而不是尖端的 7 纳米技术，因为使用 7 纳米工艺会让高通不得不转向极限紫外光刻技术。

等到下一代的 Snapdragon 芯片构架思路快成型的时候，三星应该也有了自己的 7 纳米的 EUV 进程，在此之后，使用相同工艺的 6 纳米芯片也不会太远。不管怎么说，三星移动拥有 Galaxy S8 和 Note 8 手机等众多产品，基本上注定会是高通芯片的最大客户。因此如果高通将其订单拆分给另一家代工厂，可能之后局面会比较尴尬。

尽管在同一市场上竞争并不激烈，但这一消息让英特尔进一步落后于三星，至少在芯片尺寸方面是如此。英特尔尚未发布任何 10 纳米的芯片，尽管它曾表示，当它(2018年或2019年)新产品上市时，由于其功能密度的提高，它将会是三星的“数代”。然而到那时，三星可能会在极限紫外光刻工艺技术方面领先英特尔两到三代，从而缩小这一差距。预计三星将在今天晚些时候公布其 8 和 7 纳米芯片的路线图。