尽管英特尔（Intel）反复强调其xxnm工艺的精确性，声称在同样标称10nm的情况下，其技术比三星和台积电领先一代，但三星的进展显然更为迅速。

三星电子日前宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”（低功耗增强版），并确认未来的7nm工艺将采用EUV极紫外光刻技术。

11LPP工艺并非全新开发，而是基于14nm和10nm工艺的融合。它采用了10nm的后端工艺（BEOL），从而显著缩小了芯片面积，同时保留了14nm LPP工艺的部分元素。

三星于2016年10月开始量产10LPE（10nm低功耗早期版），并已准备好即将量产的10LPP（10nm低功耗增强版），主要用于智能手机芯片的制造。而14nm工艺则针对主流、低功耗和紧凑型芯片。

未来，三星还计划推出14LPU和10LPU版本。

11LPP工艺旨在填补三星14nm和10nm之间的技术空白，据称在相同晶体管数量和功耗下，相比14LPP工艺，性能可提升15%，或功耗降低10%，同时晶体管密度也有所提高。

三星计划于2018年上半年开始量产11LPP工艺。

此外，三星还规划了9nm、8nm、7nm、6nm和5nm工艺。其中，7nm的7LPP版本将全面采用EUV极紫外光刻技术，预计于2018年下半年开始试产。

有报道称，在2018年上半年，三星将在8LPP工艺的特定层上率先使用EUV技术。

三星表示，自2014年以来，已使用EUV技术处理了近20万块晶圆，取得了显著成果，例如256Mb SRAM的良品率达到了80%。